檢索結果：共3筆資料 檢索策略： "Meng-Lin Tsai".ecommittee (精準) and ckeyword.raw="化學氣相沉積"
個人化服務 ：
排序：
每頁筆數：
已勾選0筆資料
1
本論文研究的奈米材料為二維的GaSe奈米帶。第一部分，為GaSe奈米帶的製備，首先，以原子百分比Ga:Se=55:45配置Ga金屬錠及Se粉末總共5 g接著放入40 cm的石英管內，於抽氣真空的狀態…
2
本研究探討利用化學氣相沉積系統於二氧化矽/矽基板上成長二硫化鉬薄膜並分析其光電特性實驗中。分別利用熱蒸氣沉積以及熱蒸氣硫化兩種成長方法製備二硫化鉬薄膜。熱蒸氣沉積製備方法為將三氧化鉬粉末與硫粉在高溫…
3
二維層狀半導體第六族過渡金屬硫族化物由於具備極大延續摩爾定律潛力，近年來廣受關注。為了達到大規模商業化生產，生長高品質與大面積第六族過渡金屬硫族化物薄膜成為重要議題之一。因此，本研究利用化學氣相沉積…